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- WINBOND/華邦
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FDA59N30特征
●r ds（on） =56mΩ（最大）@ v gs = 10v，i d = 29.5a
●低門電荷（典型77NC）
●低C RSS（典型80pf）
●100％雪崩測試
FDA59N30說明
Unifet TM MOSFET是基于平面條紋和DMOS技術的高壓MOSFET家族。該MOSFET量身定制，以降低州的阻力，并提供更好的切換性能和更高的雪崩能量強度。該設備系列適用于開關電源轉換器應用，例如功率因數校正（PFC），平板顯示器（FPD）電視電源，ATX和電子燈載體。
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
移動電話:13424188068
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