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FQPF3N80C 場效應管(MOSFET)
FQPF3N80C 場效應管(MOSFET)
FQPF3N80C 場效應管(MOSFET)
價格: ¥4.000 - ¥5.000
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FQPF3N80C特征
●3A, 800V, RDS(on) = 4.8Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 1.5A柵極電荷低(典型值:13nC)
●低 Crss(典型值5.5pF)
●100% 經過雪崩擊穿測試"
●100% avalanche tested
 
 
FQPF3N80C說明
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用安森美半導體的平面條紋和 DMOS 專屬工藝生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率因數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
 
 
 
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傳真:+86-755-83687442
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