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GD25LQ32ENIGR 統一扇區雙和四串行閃存
GD25LQ32ENIGR 統一扇區雙和四串行閃存
GD25LQ32E（32M位）串行閃存支持標準串行外圍接口（SPI）和雙/四SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行數據I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（保持#）。雙I/O數據以266Mbit/s的速度傳輸，四I/O數據以532Mbit/s的速度傳輸。
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■GD25LQ32ENIGR 說明 
GD25LQ32E（32M位）串行閃存支持標準串行外圍接口（SPI）和雙/四SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行數據I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（保持#）。雙I/O數據以266Mbit/s的速度傳輸，四I/O數據以532Mbit/s的速度傳輸。
 
 
■GD25LQ32ENIGR 特征
●32M位串行閃存
◆4096K字節
◆每可編程頁256字節
●標準、雙、四SPI
◆ 標準SPI：：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
◆ 雙SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
◆ 四SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
◆ QPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
●高速時鐘頻率
◆ 133MHz用于30PF負載的快速讀取
◆ 高達266Mbits/s的雙I/O數據傳輸
◆ 四路I/O數據傳輸高達532Mbits/s
◆ QPI模式數據傳輸高達532Mbits/s
●軟件寫保護
◆ 通過軟件寫保護全部/部分內存
◆ 使用WP#引腳啟用/禁用保護
◆ 頂塊/底塊保護
●持久性和數據保留
◆ 至少100000個程序/擦除周期
◆ 典型的20年數據保留期
●允許XiP（就地執行）操作
◆ 高速讀取減少了XiP指令的總獲取時間
◆ 使用Wrap的連續讀取進一步減少了數據延遲，以填滿SoC緩存
●編程/擦除速度快
◆頁面程序時間：典型0.4ms
◆扇區擦除時間：典型40ms
◆塊擦除時間：0.15/0.2s典型值
◆芯片擦除時間：典型值8秒
●靈活的體系結構
◆4K字節的統一扇區
◆32/64K字節的統一塊
●低功耗
◆10uA典型備用電流
◆1uA典型斷電電流
●高級安全功能
◆每個設備的128位唯一ID
◆帶OTP鎖的3*1024字節安全寄存器
◆串行閃存可發現參數（SFDP）寄存器
●單電源電壓
◆全電壓范圍：1.65-2.0V
■GD25LQ32ENIGR 說明 
GD25LQ32E（32M位）串行閃存支持標準串行外圍接口（SPI）和雙/四SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行數據I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（保持#）。雙I/O數據以266Mbit/s的速度傳輸，四I/O數據以532Mbit/s的速度傳輸。
 
 
■GD25LQ32ENIGR 特征
●32M位串行閃存
◆4096K字節
◆每可編程頁256字節
●標準、雙、四SPI
◆ 標準SPI：：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
◆ 雙SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
◆ 四SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
◆ QPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
●高速時鐘頻率
◆ 133MHz用于30PF負載的快速讀取
◆ 高達266Mbits/s的雙I/O數據傳輸
◆ 四路I/O數據傳輸高達532Mbits/s
◆ QPI模式數據傳輸高達532Mbits/s
●軟件寫保護
◆ 通過軟件寫保護全部/部分內存
◆ 使用WP#引腳啟用/禁用保護
◆ 頂塊/底塊保護
●持久性和數據保留
◆ 至少100000個程序/擦除周期
◆ 典型的20年數據保留期
●允許XiP（就地執行）操作
◆ 高速讀取減少了XiP指令的總獲取時間
◆ 使用Wrap的連續讀取進一步減少了數據延遲，以填滿SoC緩存
●編程/擦除速度快
◆頁面程序時間：典型0.4ms
◆扇區擦除時間：典型40ms
◆塊擦除時間：0.15/0.2s典型值
◆芯片擦除時間：典型值8秒
●靈活的體系結構
◆4K字節的統一扇區
◆32/64K字節的統一塊
●低功耗
◆10uA典型備用電流
◆1uA典型斷電電流
●高級安全功能
◆每個設備的128位唯一ID
◆帶OTP鎖的3*1024字節安全寄存器
◆串行閃存可發現參數（SFDP）寄存器
●單電源電壓
◆全電壓范圍：1.65-2.0V
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電話:+86-0755-83681378
傳真:+86-0755-83687442
移動電話:13502856648 
聯系QQ：800007218
聯系人:黃小姐、陳先生、陳小姐
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