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FDPF7N60NZ N 溝道聯(lián)合場效應(yīng)管? II MOSFET
FDPF7N60NZ N 溝道聯(lián)合場效應(yīng)管? II MOSFET
UniFET公司? II MOSFET是Fairchild Semiconductor?的高壓MOSFET系列，基于先進的平面條紋和DMOS技術(shù)。這種先進的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的導(dǎo)通電阻，還提供了優(yōu)越的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。此外，內(nèi)部柵極源ESD二極管允許UniFET II MOSFET承受超過2kV的HBM浪涌應(yīng)力。該器件系列適用于開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）電視功率、ATX和電子燈鎮(zhèn)流器。
價格: ￥1.500 - ￥2.500
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FDPF7N60NZ 的特性
■R-DS（on）=1.05Ω（典型值）@V-GS=10 V，I-D=3.25 A
■低柵極電荷（典型13 nC）
■ 低C-rss（典型7 pF）
■ 100%雪崩測試
■ 改進的dv/ dt能力
■ ESD改進能力
■ 符合RoHS
 
FDPF7N60NZ 的說明
UniFET公司™ II MOSFET是Fairchild Semiconductor®的高壓MOSFET系列，基于先進的平面條紋和DMOS技術(shù)。這種先進的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的導(dǎo)通電阻，還提供了優(yōu)越的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。此外，內(nèi)部柵極源ESD二極管允許UniFET II MOSFET承受超過2kV的HBM浪涌應(yīng)力。該器件系列適用于開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）電視功率、ATX和電子燈鎮(zhèn)流器。
FDPF7N60NZ 的特性
■R-DS（on）=1.05Ω（典型值）@V-GS=10 V，I-D=3.25 A
■低柵極電荷（典型13 nC）
■ 低C-rss（典型7 pF）
■ 100%雪崩測試
■ 改進的dv/ dt能力
■ ESD改進能力
■ 符合RoHS
 
FDPF7N60NZ 的說明
UniFET公司™ II MOSFET是Fairchild Semiconductor®的高壓MOSFET系列，基于先進的平面條紋和DMOS技術(shù)。這種先進的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的導(dǎo)通電阻，還提供了優(yōu)越的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。此外，內(nèi)部柵極源ESD二極管允許UniFET II MOSFET承受超過2kV的HBM浪涌應(yīng)力。該器件系列適用于開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）電視功率、ATX和電子燈鎮(zhèn)流器。
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