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FQA24N50 功率 MOSFET， N 溝道
FQA24N50 功率 MOSFET， N 溝道
這些N通道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條紋DMOStechnology生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化導(dǎo)通電阻，提供優(yōu)異的開關(guān)性能，并在雪崩和換相模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合于高效率開關(guān)電源、功率因數(shù)校正、半橋式電子燈鎮(zhèn)流器。
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FQA24N50 的特性
■24 A，500 V，RDS（開）=200 mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=12 A
■低柵極電荷（典型90 nC）
■低CRS（典型55 pF）
■100%雪崩測(cè)試
■符合RoHS
 
FQA24N50 的說明
這些N通道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條紋DMOStechnology生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化導(dǎo)通電阻，提供優(yōu)異的開關(guān)性能，并在雪崩和換相模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合于高效率開關(guān)電源、功率因數(shù)校正、半橋式電子燈鎮(zhèn)流器。
FQA24N50 的特性
■24 A，500 V，RDS（開）=200 mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=12 A
■低柵極電荷（典型90 nC）
■低CRS（典型55 pF）
■100%雪崩測(cè)試
■符合RoHS
 
FQA24N50 的說明
這些N通道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條紋DMOStechnology生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化導(dǎo)通電阻，提供優(yōu)異的開關(guān)性能，并在雪崩和換相模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合于高效率開關(guān)電源、功率因數(shù)校正、半橋式電子燈鎮(zhèn)流器。
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