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FDP047N08 N 溝道功率溝槽? MOSFET
FDP047N08 N 溝道功率溝槽? MOSFET
這個N?溝道MOSFET是利用半導體先進的功率溝道技術生產的? 為最大限度地減少?狀態電阻，同時保持優越的開關性能。
價格: ￥12.000 - ￥13.000
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50-99 ￥12.50 ￥0.5
>=100 ￥12.00 ￥1
        
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FDP047N08 的特性
■R-DS（開）=3.8mΩ( 典型值），V-GS=10V，I-D=80A
■開關速度快
■低門電荷
■用于極低R-DS（on）的高性能溝槽技術
■高功率和電流處理能力
■符合RoHS
 
FDP047N08 的說明
這個N−溝道MOSFET是利用半導體先進的功率溝道技術生產的® 為最大限度地減少−狀態電阻，同時保持優越的開關性能。
FDP047N08 的特性
■R-DS（開）=3.8mΩ( 典型值），V-GS=10V，I-D=80A
■開關速度快
■低門電荷
■用于極低R-DS（on）的高性能溝槽技術
■高功率和電流處理能力
■符合RoHS
 
FDP047N08 的說明
這個N−溝道MOSFET是利用半導體先進的功率溝道技術生產的® 為最大限度地減少−狀態電阻，同時保持優越的開關性能。
電話:+86-0755-84196189 
傳真:+86-0755-83687442
移動電話:13502856648 
聯系QQ：800007218
聯系人:黃小姐、陳先生、陳小姐
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